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供应温补晶振DIP14现货,温补晶振定制

供应温补晶振DIP14现货,温补晶振定制

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联系方式

  • 联系人:
    李先生
  • 职   位:
    销售经理
  • 地   址:
    广东 深圳 福田区 深圳市福田区上步南路1001号锦峰大厦308-312室
加工定制:是品牌:RACTRON型号:温补晶振DIP14
基准温度:-55-+125℃℃总频差:±5ppmMHz插入损耗:±0.5ppmdB
标称频率:1-200MhzMHz温度频差:±0.5-2.5ppmMHz激励电平:1.8-15vmW
负载电容:15pF负载谐振电阻:50Ω

Product Name           产品系列

TCXO-RTT   TCVCXO-RTTV

1、Frequency Rang      频率范围

Qscillation State    振荡状态

1-200MHz

Fundamental 基频  Overtone 泛音

2、Standard Freq         标准频率

2.5MHz,3.2MHz,4.608MHz,4.096MHz,5MHz,5.12MHz,6.4MHz, 6.5MHz,6.72996MHz,

8.192MHz,9.216MHz,10MHz,10.24MHz,12MHz,12.24MHz,12.288MHz,12.8MHz,13MHz,14.4MHz,14.7456MHz,14.85MHz,16MHz,

16.32MHz,16.368MHz ,16.384MHz,16.8MHz,17MHz,18.432MHz,19.2MHz,19.44MHz,19.68MHz,19.7985MHz,19.8MHz,20MHz,

20.46MHz,20.48MHz,20.82857MHz,24MHz,24.576MHz,25MHz,25.6MHz,26MHz,26.451788MHz,27MHz,29.952MHz,32MHz,

32.768MHz,33MHz,36.864MHz,38MHz,38.88MHz,40MHz,50MHz,61.44MHz,77.76MHz,100MHz,120MHz,122.88MHz

3、Package Outline       封装尺寸

1 SMD21*13 2 SMD14*9 3 SMD11*9 4 SMD9*7  5 SMD7*5  SMD5*3.2  7 SMD3*2.5

8 SMD2.5*2  9 DIP21*13 10 DIP18*12 11 DIP20*20 12 DIP36*27  13 DIP13*13 14 DIP18*11*9  15 DIP21*13*7

4、Freq Adjustment  频率调整范围

Control Voltage     压控电压范围

Mechanical trim     机械微调范围

Slope               极性

Linearity           线性度

1 Voltage trim ≥ ±5ppm 

2 Mechanical trim ≥ ±5ppm

3 Fixed TCXO,No adjustment

Positive

±10%

5、Calibration     基准初始准确度

A±0.5ppm  B±1.0ppm  C±1.5ppm   D±2.0ppm   E±2.5ppm @25℃  

6、Operating Temp    工作温度范围

A 0-+50℃ B-10-+70℃  C-20-+70℃  D-30-+85℃  E -40-+85℃ F -55-+85℃

7、Freq Stability  频率温度稳定度

 

 

                        电压特性

                        负载特性

A±0.1ppm  B±0.2ppm  C±0.28ppm  D±0.3ppm  E±0.4ppm F±0.5ppm  

G±0.9ppm H ±1.0ppm I±1.5ppm  J ±2.0ppm   K±2.5ppm  L±5ppm  

M±10ppm  1ppb=1/1000ppm 1ppm=1/1000000

8、Output Waveform       输出波形

 

 

Output Level          输出幅度

   Output Load           输出负载

   Harmonic attenuation  谐波抑制

   Noise attenuation     杂波抑制

正弦波(Sine):谐波抑制(Harmonic attenuation)、

杂波抑制(Noise attenuation )、负载(Load)、输出幅度(Output level)

削峰正弦波(Clipping Sine):负载(Load)、输出幅度(Output level)

方波(Square):分为MOS和TTL输出 负载(Load) 占空比(Duty cycle)

上升/下降时间(Rise/fall time)、高低电平(“1” and “0” level)。

优于30dBc

优于80dBc

9、Supply Voltage        工作电压

A 1.8V B  2.6V C  2.8V  D3.0V  E 3.3V  F 5.0V  G 12V  H 15V

10、Current Consumption  电流功耗

< 1.5 mA  < 2.0 mA  < 3.0 mA  < 4.0 mA

11、Phase Noise          相位噪声

≤15MHz              15-26MHz             >26MHz

-115dBc/Hz@100Hz   -110dBc/Hz@100Hz   -105dBc/Hz@100hz

-135dBc/Hz@1KHz    -130dBc/Hz@1KHz    -125dBc/Hz@1Khz

-145dBc/Hz@10KHz   -140dBc/Hz@10KHz   -135dBc/Hz@10Khz

-145dBc/Hz@100KHz  -145dBc/Hz@100KHz  -145dBc/Hz@100Khz

12、Ageing              年老化率

                        日老化率

±1ppm maximum in first year,±3ppm maximum for 10 years

±5X10-9/d

13、Storage Temp        存储温度

A -40-+85℃ B -55-+95℃ C -55-+125℃

温补晶振DPI14


 

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